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二极管符号及定义（第 3 部分）

在二极管领域，准确理解各种符号及其定义至关重要。这些符号是电子工程师、科研人员以及电子爱好者进行沟通和交流的重要语言。这是第叁部分为您介绍一系列关键的二极管符号及其对应的中英文定义。

符号：Tjm,T(vj)m

英文定义：Maximum Junction Temperature

中文定义：最大允许结温

符号：TRIAC

英文定义：Triode for Alternating Current

中文定义：叁端双向可控硅

符号：Trr

英文定义：Reverse Recovery Time of a Diode

中文定义：二极管的反向恢复时间

符号：VDRM

英文定义：Maximum Repetitive Forward Blocking Voltage

of Thyristor

中文定义：晶闸管正向最大重复阻断峰值电压

符号：(B)VDSS

英文定义：Drain-source Break-down Voltage

中文定义：漏源阻断电压

符号：VF

英文定义：Forward Voltage Drop of Diode

中文定义：二极管正向压降

符号：VGS(th)

英文定义：Gate Threshold Voltage

中文定义：门极阈值电压

符号：VGT

英文定义：Gate Trigger Voltage

中文定义：门极触发电压

符号：VR

英文定义：Reverse Voltage

中文定义：反向电压

符号：

VRRM

英文定义：Maximum Peak Reverse Voltage of Thyristor or Diode

中文定义：晶闸管或二极管反向最大峰值电压

符号：VTM(FM)

英文定义：Peak On-state Voltage Drop of Thyristor or Diode

中文定义：晶闸管或二极管通态峰值压降

符号：VSD

英文定义：Drain-Source Diode Forward Voltage Drop

中文定义：漏源极二极管正向压降

符号：

VT0

英文定义：Threshold Voltage of Thyristors or Diodes (for Power Loss Calculation only)

中文定义：晶闸管或二极管阈值电压（仅用于计算功耗损失）

通过对本部分二极管符号及定义的了解，我们对二极管相关概念有了更深入的认识。这些知识是进一步学习和研究二极管技术的基础，对于设计和开发电子电路具有重要意义。随着二极管技术的不断发展，新的符号和定义也会不断涌现，持续关注这些内容有助于我们紧跟行业的步伐。