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在电力电子领域,高效、稳定的整流器件是电路设计的核心要素之一。MBR20100CT 凭借其卓越的性能参数和广泛的适用性,成为低电压、高频应用场景的理想选择。
MBR20100CT 属于 20 安培级肖特基二极管,采用 TO-220 封装,其设计融合了多项先进技术。金属 - 硅结结构实现多数载流子导电,这一特性使其具备低正向压降和高电流能力,能有效降低功率损耗,提升电路效率。同时,内置的保护环设计为器件提供了过压保护,增强了工作稳定性。

该二极管的引脚配置清晰:1 脚和 3 脚为阳极,2 脚为阴极,对称的阳极设计便于电路布局。其核心优势在于高浪涌容量,可承受 200A 的 8.3ms 单半正弦波正向浪涌电流(JEDEC 标准),这使其在负载突变场景下能可靠工作。
峰值正向浪涌电流 | 100uA |
最大正向连续电流 | 20mA |
峰值反向浪涌电压 | 20V |
最大反向连续电压 | 150V |
最大功率耗散 | 标准 |
峰值脉冲功率 | 标准 |
反向恢复时间 | 标准 |
正向压降 | 0.85V |
工作温度范围 | -55℃ ~ 150℃ |
型号名称 | MBR20100CT |
反向漏电流 | 0.05mR |
在绝对最大额定值方面,MBR20100CT 展现出优异的电气性能。其峰值正向浪涌电流为100uA,最大正向连续电流为20mA,峰值反向浪涌电压为20V,最大反向连续电压为150V,最大功率耗散,峰值脉冲功率、反向恢复时间均为标准;正向压降为0.85V,反向漏电流0.05mR,确保低功耗运行。
温度特性同样值得关注:结温最高可达 150℃,存储温度范围为 - -55℃至 + 175℃,宽温域适应能力使其能在恶劣环境中稳定工作。此外,1.4℃/奥 的典型热阻保证了高效散热,降低了热累积带来的性能衰减风险。


MBR20100CT 的设计定位明确,适用于低压高频逆变器、续流电路和极性保护等应用。在高频开关电源、新能源汽车辅助电路、工业控制设备中,其低功耗和高频特性可显着提升系统能效。

使用时需注意:虽然器件本身具备过压保护,但仍需配合散热片以充分发挥性能;在多器件并联时,应确保电流分配均匀,避免局部过载。参考典型特性曲线可知,其正向电流随温度变化呈现规律性波动,设计时需预留适当余量。
作为新邦微肖特基二极管系列的重要产物,MBR20100CT 以平衡的性能参数和可靠的稳定性,为电力电子工程师提供了高效解决方案,在绿色能源、智能装备等领域具有广阔应用前景。